casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4305-1E3
codice articolo del costruttore | 1N4305-1E3 |
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Numero di parte futuro | FT-1N4305-1E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4305-1E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 10mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 (DO-204AH) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4305-1E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4305-1E3-FT |
1N3909
Microsemi Corporation
1N3909A
Microsemi Corporation
1N3909AR
Microsemi Corporation
1N3909R
Microsemi Corporation
1N3910
Microsemi Corporation
1N3910A
Microsemi Corporation
1N3910AR
Microsemi Corporation
1N3910R
Microsemi Corporation
1N3911A
Microsemi Corporation
1N3911AR
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel