casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SR110 A0G
codice articolo del costruttore | SR110 A0G |
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Numero di parte futuro | FT-SR110 A0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SR110 A0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR110 A0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SR110 A0G-FT |
SR803HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR803HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR804HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR804HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR805 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR805HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR805HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR806 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR806HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR806HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel