casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5407G A0G
codice articolo del costruttore | 1N5407G A0G |
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Numero di parte futuro | FT-1N5407G A0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5407G A0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5407G A0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5407G A0G-FT |
SR209 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR209HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR209HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR210 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR210HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR210HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR215 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR215HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR215HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR220 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel