casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SR215HB0G
codice articolo del costruttore | SR215HB0G |
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Numero di parte futuro | FT-SR215HB0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SR215HB0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AC (DO-15) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR215HB0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SR215HB0G-FT |
3A100HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A100HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A60HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR154G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR154GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR154GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR155G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR155GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR155GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR156G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel