casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5407-E3/54
codice articolo del costruttore | 1N5407-E3/54 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-1N5407-E3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5407-E3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5407-E3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5407-E3/54-FT |
VS-20L15T-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20L15TPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TQ035-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TQ040-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TT100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30ETH06-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30ETH06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel