casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5405-E3/54
codice articolo del costruttore | 1N5405-E3/54 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5405-E3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5405-E3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 500V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 500V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5405-E3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5405-E3/54-FT |
VS-20ETF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20L15T-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20L15TPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TQ035-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TQ040-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TT100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30ETH06-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel