codice articolo del costruttore | 1N5401 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5401 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5401 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5401 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5401-FT |
1N3889
GeneSiC Semiconductor
1N3768R
GeneSiC Semiconductor
1N3768
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1N3673AR
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S85J
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XC2VP40-6FGG676C
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XC4036XL-1HQ304C
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XC2V1000-5FGG456I
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EP4CGX50CF23I7N
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5SGXMB9R2H43I2LN
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5SGXEB5R2F43C2N
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XC4028XL-3HQ208I
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LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C3N
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EPF10K20RC208-3
Intel