codice articolo del costruttore | 1N5399 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5399 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5399 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-15 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5399 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5399-FT |
SS32
ON Semiconductor
ES3C
ON Semiconductor
MBRS320
ON Semiconductor
SS39
ON Semiconductor
RGF1M
ON Semiconductor
RS1J
ON Semiconductor
S1J
ON Semiconductor
S1M
ON Semiconductor
SS12
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SS14
ON Semiconductor
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
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10AX057K3F35E2LG
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EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel