casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5392-E3/54
codice articolo del costruttore | 1N5392-E3/54 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5392-E3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5392-E3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5392-E3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5392-E3/54-FT |
SS2H10HE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H10HE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9HE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9HE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB43LHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB43LHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB44HE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB44HE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U2B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel