casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MS105E3/TR12
codice articolo del costruttore | MS105E3/TR12 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MS105E3/TR12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MS105E3/TR12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 690mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MS105E3/TR12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MS105E3/TR12-FT |
HS12045
Microsemi Corporation
HS18145
Microsemi Corporation
HS18145R
Microsemi Corporation
HS183100
Microsemi Corporation
HS246150
Microsemi Corporation
HS247180
Microsemi Corporation
HS247200
Microsemi Corporation
1N4148-1
Microsemi Corporation
1N647-1
Microsemi Corporation
1N649-1
Microsemi Corporation
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel