casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS140WE6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BAS140WE6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS140WE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS140WE6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 120mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ps |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOD323-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS140WE6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS140WE6327HTSA1-FT |
IDH16G120C5XKSA1
Infineon Technologies
IDH08G120C5XKSA1
Infineon Technologies
IDP30E120XKSA1
Infineon Technologies
IDH12G65C5XKSA2
Infineon Technologies
IDP15E65D1XKSA1
Infineon Technologies
IDV08E65D2XKSA1
Infineon Technologies
IDH16G65C6XKSA1
Infineon Technologies
IDP12E120XKSA1
Infineon Technologies
IDP15E60XKSA1
Infineon Technologies
IDP18E120XKSA1
Infineon Technologies
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel