casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5062TR
codice articolo del costruttore | 1N5062TR |
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Numero di parte futuro | FT-1N5062TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5062TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SOD-57, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-57 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5062TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5062TR-FT |
BYV28-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV28-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW178-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW82-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW86-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV28-150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5417-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5417TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel