casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / 1N4101 (DO35)
codice articolo del costruttore | 1N4101 (DO35) |
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Numero di parte futuro | FT-1N4101 (DO35) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4101 (DO35) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 400mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 200 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 6.24V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4101 (DO35) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4101 (DO35)-FT |
1N3525A
Microsemi Corporation
1N4103
Microsemi Corporation
1N4371
Microsemi Corporation
1N4371A
Microsemi Corporation
1N4372A
Microsemi Corporation
1N4691
Microsemi Corporation
1N5234A
Microsemi Corporation
1N5279B
Microsemi Corporation
1N5525B-1
Microsemi Corporation
1N5533B
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FF1156I
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation