casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / 1N5525B-1
codice articolo del costruttore | 1N5525B-1 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5525B-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5525B-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 500mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 30 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 5V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 (DO-204AH) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5525B-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5525B-1-FT |
1N821A
Microsemi Corporation
1N5281B
Microsemi Corporation
1N823
Microsemi Corporation
1N4109
Microsemi Corporation
1N4568A-1
Microsemi Corporation
1N4370A
Microsemi Corporation
1N748A-1
Microsemi Corporation
1N751A-1
Microsemi Corporation
1N821-1
Microsemi Corporation
1N4582A-1
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FF1156I
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation