casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4006/54
codice articolo del costruttore | 1N4006/54 |
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Numero di parte futuro | FT-1N4006/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4006/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4006/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4006/54-FT |
UG1D-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYD13GGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYD13JGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYD13KGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYD33DGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYD33GGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYD33JGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10J-4005EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10J-4005HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10K-4006EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel