casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYD13JGPHE3/54
codice articolo del costruttore | BYD13JGPHE3/54 |
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Numero di parte futuro | FT-BYD13JGPHE3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYD13JGPHE3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYD13JGPHE3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYD13JGPHE3/54-FT |
1N5397-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5397-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5398-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5399-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA157-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA158-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYD13MGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYD33DGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYD33GGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYD33KGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.