casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4003GHR0G
codice articolo del costruttore | 1N4003GHR0G |
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Numero di parte futuro | FT-1N4003GHR0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
1N4003GHR0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4003GHR0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4003GHR0G-FT |
SR109HR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR110 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR110 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR110HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR110HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR110HR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR115 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR115 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR115HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR115HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel