casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N3913R
codice articolo del costruttore | 1N3913R |
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Numero di parte futuro | FT-1N3913R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N3913R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3913R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3913R-FT |
1N1203C
Microsemi Corporation
1N1204B
Microsemi Corporation
1N1204BR
Microsemi Corporation
1N1204C
Microsemi Corporation
1N1204R
Microsemi Corporation
1N1205
Microsemi Corporation
1N1205B
Microsemi Corporation
1N1205BR
Microsemi Corporation
1N1205C
Microsemi Corporation
1N1205R
Microsemi Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel