codice articolo del costruttore | 1N1205 |
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Numero di parte futuro | FT-1N1205 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N1205 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1205 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N1205-FT |
JAN1N3671R
Microsemi Corporation
JAN1N5802URS
Microsemi Corporation
JAN1N5804URS
Microsemi Corporation
JAN1N5809URS
Microsemi Corporation
10ETS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
120NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division
120NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
120NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
120NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XC4036XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23I7N
Intel
5SGXMB9R2H43I2LN
Intel
5SGXEB5R2F43C2N
Intel
XC4028XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C3N
Intel
EPF10K20RC208-3
Intel