casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANS1N6640
codice articolo del costruttore | JANS1N6640 |
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Numero di parte futuro | FT-JANS1N6640 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/609 |
JANS1N6640 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 300mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6640 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANS1N6640-FT |
UFR3020
Microsemi Corporation
UES706HR2
Microsemi Corporation
UES706
Microsemi Corporation
UES702
Microsemi Corporation
UES2602
Microsemi Corporation
UES1305
Microsemi Corporation
UES1303
Microsemi Corporation
UES1103SM
Microsemi Corporation
UES1102SM
Microsemi Corporation
1N5417
Microsemi Corporation
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
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M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
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EP3SE110F780I3N
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HC20K600BC652
Intel