codice articolo del costruttore | 1N3269 |
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Numero di parte futuro | FT-1N3269 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3269 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 160A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 12mA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3269 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3269-FT |
DB2S20900L
Panasonic Electronic Components
DB2S40600L
Panasonic Electronic Components
DB3X201K0L
Panasonic Electronic Components
IDC73D120T6MX1SA2
Infineon Technologies
MBR18045E3/TU
Microsemi Corporation
MBR20100FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR20150CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR20150FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR20200FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2040CTE3/TU
Microsemi Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel