casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DB2S40600L
codice articolo del costruttore | DB2S40600L |
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Numero di parte futuro | FT-DB2S40600L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB2S40600L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 900ps |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 2.2pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-79 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB2S40600L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DB2S40600L-FT |
VS-72HF80M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HFL100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HFLR100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HFLR60S02
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HFR10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HFR100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HFR120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HFR120M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HFR140
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-72HFR160
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel