casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N1206BR
codice articolo del costruttore | 1N1206BR |
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Numero di parte futuro | FT-1N1206BR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N1206BR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1206BR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N1206BR-FT |
10ETS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
120NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division
120NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
120NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
120NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division
121NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division
121NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
121NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
121NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division
122NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel