casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 10ETS12FP
codice articolo del costruttore | 10ETS12FP |
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Numero di parte futuro | FT-10ETS12FP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
10ETS12FP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC Full Pack |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
10ETS12FP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 10ETS12FP-FT |
S25MR
GeneSiC Semiconductor
S25Q
GeneSiC Semiconductor
S25QR
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S300B
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S300BR
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S300D
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S300ER
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EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
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LFE3-35EA-7FN672C
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10AX090N2F40E2LG
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EP3SL150F780I4
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