codice articolo del costruttore | 1N1200 |
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Numero di parte futuro | FT-1N1200 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N1200 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1200 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N1200-FT |
HSM890GE3/TR13
Microsemi Corporation
JANTX1N7039CCU1
Microsemi Corporation
LSM1100G/TR13
Microsemi Corporation
LSM1100GE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM1100JE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM120G/TR13
Microsemi Corporation
LSM120GE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM120JE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM130G/TR13
Microsemi Corporation
LSM130GE3/TR13
Microsemi Corporation
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel