casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N1199B
codice articolo del costruttore | 1N1199B |
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Numero di parte futuro | FT-1N1199B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N1199B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1199B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N1199B-FT |
HSM880GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM890G/TR13
Microsemi Corporation
HSM890GE3/TR13
Microsemi Corporation
JANTX1N7039CCU1
Microsemi Corporation
LSM1100G/TR13
Microsemi Corporation
LSM1100GE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM1100JE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM120G/TR13
Microsemi Corporation
LSM120GE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM120JE3/TR13
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel