casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N1185AR
codice articolo del costruttore | 1N1185AR |
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Numero di parte futuro | FT-1N1185AR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N1185AR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1185AR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N1185AR-FT |
HSM590GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM8100G/TR13
Microsemi Corporation
HSM8100GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM825G/TR13
Microsemi Corporation
HSM825GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM830G/TR13
Microsemi Corporation
HSM830GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM835G/TR13
Microsemi Corporation
HSM835GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM840G/TR13
Microsemi Corporation
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel