casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HSM8100G/TR13
codice articolo del costruttore | HSM8100G/TR13 |
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Numero di parte futuro | FT-HSM8100G/TR13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSM8100G/TR13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 780mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-215AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSM8100G/TR13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HSM8100G/TR13-FT |
B0530WF RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
B0540WF RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS19W RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS20W RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS21W RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
IDP1301GXUMA1
Infineon Technologies
RB520G-30 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
RB751V-40 RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
STPS30S45CW
STMicroelectronics
BAS21TMQ-13
Diodes Incorporated
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel