casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N1126RA
codice articolo del costruttore | 1N1126RA |
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Numero di parte futuro | FT-1N1126RA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N1126RA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1126RA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N1126RA-FT |
HSM550G/TR13
Microsemi Corporation
HSM550GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM560G/TR13
Microsemi Corporation
HSM560GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM580G/TR13
Microsemi Corporation
HSM580GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM590G/TR13
Microsemi Corporation
HSM590GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM8100G/TR13
Microsemi Corporation
HSM8100GE3/TR13
Microsemi Corporation
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel