codice articolo del costruttore | 1A6-TP |
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Numero di parte futuro | FT-1A6-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1A6-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 40V |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | R-1 (Axial) |
Pacchetto dispositivo fornitore | R-1 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1A6-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1A6-TP-FT |
S6DR
GeneSiC Semiconductor
S6G
GeneSiC Semiconductor
S6GR
GeneSiC Semiconductor
S6J
GeneSiC Semiconductor
S6JR
GeneSiC Semiconductor
S6K
GeneSiC Semiconductor
S6KR
GeneSiC Semiconductor
S6M
GeneSiC Semiconductor
S6MR
GeneSiC Semiconductor
S6Q
GeneSiC Semiconductor
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel