codice articolo del costruttore | 1A6-TP |
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Numero di parte futuro | FT-1A6-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1A6-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 40V |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | R-1 (Axial) |
Pacchetto dispositivo fornitore | R-1 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1A6-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1A6-TP-FT |
S6DR
GeneSiC Semiconductor
S6G
GeneSiC Semiconductor
S6GR
GeneSiC Semiconductor
S6J
GeneSiC Semiconductor
S6JR
GeneSiC Semiconductor
S6K
GeneSiC Semiconductor
S6KR
GeneSiC Semiconductor
S6M
GeneSiC Semiconductor
S6MR
GeneSiC Semiconductor
S6Q
GeneSiC Semiconductor
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel