codice articolo del costruttore | S6K |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-S6K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S6K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-4 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S6K-FT |
MURH7060
GeneSiC Semiconductor
NGTD13R120F2SWK
ON Semiconductor
NGTD9R120F2SWK
ON Semiconductor
NSR05T30P2T5G
ON Semiconductor
NSR0630P2T5G
ON Semiconductor
RURP15100-F085P
ON Semiconductor
S12BR
GeneSiC Semiconductor
S12DR
GeneSiC Semiconductor
S12G
GeneSiC Semiconductor
S12GR
GeneSiC Semiconductor
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel