casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / 15GN03MA-TL-E
codice articolo del costruttore | 15GN03MA-TL-E |
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Numero di parte futuro | FT-15GN03MA-TL-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
15GN03MA-TL-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Frequenza - Transizione | 1.5GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.6dB @ 0.4GHz |
Guadagno | 13dB @ 0.4GHz |
Potenza - Max | 400mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 70mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-MCP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
15GN03MA-TL-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 15GN03MA-TL-E-FT |
MT3S113(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
MT3S111(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4915-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5066-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5096-R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
A1425A-PQG100C
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-2FGG256
Microsemi Corporation
M1AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
10CL010YM164C6G
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BG329M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17I5N
Intel