casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / 1229AS-H-100M=P3
codice articolo del costruttore | 1229AS-H-100M=P3 |
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Numero di parte futuro | FT-1229AS-H-100M=P3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1229AS-H-100M=P3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 850mA |
Corrente - Saturazione | 750mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 288 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.146" L x 0.154" W (3.70mm x 3.90mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1229AS-H-100M=P3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1229AS-H-100M=P3-FT |
DFEH12060D-100M=P3
Murata Electronics North America
DFEH12060D-150M=P3
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DFEG7030D-1R5M=P3
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XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel