casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFEH12060D-8R2M=P3
codice articolo del costruttore | DFEH12060D-8R2M=P3 |
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Numero di parte futuro | FT-DFEH12060D-8R2M=P3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFEH12060D |
DFEH12060D-8R2M=P3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 8.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 8A |
Corrente - Saturazione | 11A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 17 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 155°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.512" L x 0.496" W (13.00mm x 12.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.236" (6.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFEH12060D-8R2M=P3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFEH12060D-8R2M=P3-FT |
FDSD0518-H-3R3M=P3
Murata Electronics North America
FDSD0512-H-1R0M=P3
Murata Electronics North America
FDSD0512-H-4R7M=P3
Murata Electronics North America
FDSD0512-H-K2R2M=P3
Murata Electronics North America
FDSD0518-H-100M=P3
Murata Electronics North America
FDSD0518-H-1R0M=P3
Murata Electronics North America
FDSD0518-H-1R5M=P3
Murata Electronics North America
FDSD0518-H-4R7M=P3
Murata Electronics North America
FDSD0420-H-100M=P3
Murata Electronics North America
FDSD0420-H-4R7M=P3
Murata Electronics North America
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel