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codice articolo del costruttore | 1210R-181G |
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Numero di parte futuro | FT-1210R-181G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1210R |
1210R-181G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Iron |
Induttanza | 180nH |
Tolleranza | ±2% |
Valutazione attuale | 860mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 280 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25MHz |
Frequenza - Autorisonante | 400MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.128" L x 0.095" W (3.26mm x 2.41mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.101" (2.57mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1210R-181G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1210R-181G-FT |
1210-821F
API Delevan Inc.
1210-821G
API Delevan Inc.
1210-821H
API Delevan Inc.
1210-821J
API Delevan Inc.
1210-821K
API Delevan Inc.
1210-822F
API Delevan Inc.
1210-822G
API Delevan Inc.
1210-822H
API Delevan Inc.
1210-822J
API Delevan Inc.
1210-822K
API Delevan Inc.
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FG456C
Xilinx Inc.
EP2S60F484C3
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508C3N
Intel