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codice articolo del costruttore | 1120-3R9M-RC |
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Numero di parte futuro | FT-1120-3R9M-RC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1120 |
1120-3R9M-RC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 3.9µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 11.4A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.810" Dia (20.57mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1120-3R9M-RC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1120-3R9M-RC-FT |
1130-271K-RC
Bourns Inc.
1130-102K-RC
Bourns Inc.
1130-121K-RC
Bourns Inc.
1130-182K-RC
Bourns Inc.
1130-332K-RC
Bourns Inc.
1130-331K-RC
Bourns Inc.
1130-330K-RC
Bourns Inc.
1130-181K-RC
Bourns Inc.
1130-100K-RC
Bourns Inc.
1130-120K-RC
Bourns Inc.
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
Intel
10M25DAF256I7P
Intel
EP1C12F256C7
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
5SGXMA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel