casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-12TQ035STRRHM3
codice articolo del costruttore | VS-12TQ035STRRHM3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-12TQ035STRRHM3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-12TQ035STRRHM3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 560mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.75mA @ 35V |
Capacità @ Vr, F | 900pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-12TQ035STRRHM3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-12TQ035STRRHM3-FT |
VS-MURB820TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF02STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF02STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF04S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF04STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF04STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF06S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF06SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF06STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel