casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / ZXTS1000E6TC
codice articolo del costruttore | ZXTS1000E6TC |
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Numero di parte futuro | FT-ZXTS1000E6TC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXTS1000E6TC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP + Diode (Isolated) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.25A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 100mA, 1.25A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 885mW |
Frequenza - Transizione | 220MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXTS1000E6TC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZXTS1000E6TC-FT |
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