casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / ZXTP25012EFHTA
codice articolo del costruttore | ZXTP25012EFHTA |
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Numero di parte futuro | FT-ZXTP25012EFHTA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXTP25012EFHTA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 210mV @ 400mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 10mA, 2V |
Potenza - Max | 1.25W |
Frequenza - Transizione | 310MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXTP25012EFHTA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZXTP25012EFHTA-FT |
NZT6717
ON Semiconductor
NZT6729
ON Semiconductor
FZT3019
ON Semiconductor
2STN2360
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BCP51
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BCP52-16
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BSP51
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NZT6728
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M1A3P400-FG484
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APA600-BGG456I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC256-2
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5SGSMD8K3F40C4N
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XCV100-4BG256C
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XC7A200T-L1FBG484I
Xilinx Inc.
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5AGXMA1D4F31I3N
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EP4CE115F29I8L
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