casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / ZXTNS618MCTA
codice articolo del costruttore | ZXTNS618MCTA |
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Numero di parte futuro | FT-ZXTNS618MCTA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXTNS618MCTA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN + Diode (Isolated) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 270mV @ 125mA, 4.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 25nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V |
Potenza - Max | 3W |
Frequenza - Transizione | 140MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (3x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXTNS618MCTA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZXTNS618MCTA-FT |
2SA2174J0L
Panasonic Electronic Components
2SB1462J0L
Panasonic Electronic Components
2SB1463JRL
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2SB1722J0L
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2SC4656JRL
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2SC4809J0L
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2SC584600L
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2SC5846G0L
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2SC593900L
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M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel