casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / ZXTN25040DFHTA
codice articolo del costruttore | ZXTN25040DFHTA |
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Numero di parte futuro | FT-ZXTN25040DFHTA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXTN25040DFHTA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 190mV @ 400mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 10mA, 2V |
Potenza - Max | 1.25W |
Frequenza - Transizione | 190MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXTN25040DFHTA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZXTN25040DFHTA-FT |
ZXTS1000NE6TA
Diodes Incorporated
FMMT455TA
Diodes Incorporated
FMMT489TA
Diodes Incorporated
FMMT494TA
Diodes Incorporated
FMMT6520TA
Diodes Incorporated
MMBTA05-7-F
Diodes Incorporated
ZXTN2040FTA
Diodes Incorporated
ZXTP25020DFHTA
Diodes Incorporated
ZXTP25100CFHTA
Diodes Incorporated
ZXTN2018FTA
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel