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Diodes Incorporated ZXMNS3BM832TA

Name: ZXMNS3BM832TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMNS3BM832TA
Availability: InStock
Rating: 4.6 (173 reviews)

Numero parte MFG: ZXMNS3BM832TA

quantità disponibile: 94460 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: ZXMNS3BM832TA.pdf

ZXMNS3BM832TA specificazioni

codice articolo del costruttore	ZXMNS3BM832TA
Numero di parte futuro	FT-ZXMNS3BM832TA
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
ZXMNS3BM832TA Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.9nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	314pF @ 15V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-MLP, MicroFET (3x2)
Pacchetto / caso	8-VDFN Exposed Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMNS3BM832TA Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	ZXMNS3BM832TA-FT

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