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Diodes Incorporated ZXMC3F31DN8TA

Name: ZXMC3F31DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMC3F31DN8TA
Price: 0.3456 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (207 reviews)

Numero parte MFG: ZXMC3F31DN8TA

quantità disponibile: 55190 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.3456

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: ZXMC3F31DN8TA.pdf

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ZXMC3F31DN8TA specificazioni

codice articolo del costruttore	ZXMC3F31DN8TA
Numero di parte futuro	FT-ZXMC3F31DN8TA
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
ZXMC3F31DN8TA Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.8A, 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	608pF @ 15V
Potenza - Max	1.8W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMC3F31DN8TA Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	ZXMC3F31DN8TA-FT

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