casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Embedded - Microcontrollori / Z8F0811HH020EG
codice articolo del costruttore | Z8F0811HH020EG |
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Numero di parte futuro | FT-Z8F0811HH020EG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Encore!® XP® |
Z8F0811HH020EG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | eZ8 |
Dimensione del nucleo | 8-Bit |
Velocità | 20MHz |
Connettività | I²C, IrDA, UART/USART |
periferiche | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 11 |
Dimensione della memoria del programma | 8KB (8K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 1K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 2.7V ~ 3.6V |
Convertitori di dati | - |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width) |
- | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
Z8F0811HH020EG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | Z8F0811HH020EG-FT |
S9S08RNA8W2CTJ
NXP USA Inc.
S9S08RNA8W2CTJR
NXP USA Inc.
S9S08RNA8W2MTJ
NXP USA Inc.
S9S08RNA8W2VTJ
NXP USA Inc.
S9S08SG16E1CTJ
NXP USA Inc.
S9S08SG16E1CTJR
NXP USA Inc.
S9S08SG16E1VTJ
NXP USA Inc.
S9S08SG16E1VTJR
NXP USA Inc.
S9S08SG32E1CTJ
NXP USA Inc.
S9S08SG32E1MTJR
NXP USA Inc.
A1425A-1PQ100C
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE1500-FGG484
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-1VQ100T
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672I6
Intel
EP4CE115F23I7
Intel
AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VQI240-2N
Intel