casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / YR1B576KCC
codice articolo del costruttore | YR1B576KCC |
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Numero di parte futuro | FT-YR1B576KCC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | YR, Neohm |
YR1B576KCC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 576 kOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.091" Dia x 0.248" L (2.30mm x 6.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
YR1B576KCC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | YR1B576KCC-FT |
YR1B93K1CC
TE Connectivity Passive Product
YR1B93R1CC
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YR1B909KCC
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YR1B9K31CC
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YR1B9K09CC
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A54SX32A-2TQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE10F17C9LN
Intel
5SGSED6N3F45I4N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
LFXP20C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7N
Intel