casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / Y0007105R850V0L
codice articolo del costruttore | Y0007105R850V0L |
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Numero di parte futuro | FT-Y0007105R850V0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | S |
Y0007105R850V0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 105.85 Ohms |
Tolleranza | ±0.005% |
Potenza (Watt) | 0.6W |
Composizione | Metal Foil |
Caratteristiche | Moisture Resistant, Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±2ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.300" L x 0.105" W (7.62mm x 2.67mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.336" (8.53mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
Y0007105R850V0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | Y0007105R850V0L-FT |
RWM04103301JR15E1
Vishay Sfernice
RWM0410R150JR15E1
Vishay Sfernice
RWM04101001JR15E1
Vishay Sfernice
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Vishay Sfernice
RWM041010R0JR15E1
Vishay Sfernice
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Vishay Sfernice
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Vishay Sfernice
RWM04101501JR15E1
Vishay Sfernice
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Vishay Sfernice
RWM04101800JR15E1
Vishay Sfernice
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel