casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Fototransistor / XRNI12W
codice articolo del costruttore | XRNI12W |
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Numero di parte futuro | FT-XRNI12W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XRNI12W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Corrente - Scuro (Id) (Max) | 100nA |
lunghezza d'onda | - |
Angolo di visione | - |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Orientamento | Top View |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Pacchetto / caso | Radial |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XRNI12W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XRNI12W-FT |
BPW76B
Vishay Semiconductor Opto Division
BPW17N
Vishay Semiconductor Opto Division
BPW16N
Vishay Semiconductor Opto Division
BPV11F
Vishay Semiconductor Opto Division
BPV11
Vishay Semiconductor Opto Division
OP750B
TT Electronics/Optek Technology
OP750A
TT Electronics/Optek Technology
OP750D
TT Electronics/Optek Technology
OP750C
TT Electronics/Optek Technology
OP770B
TT Electronics/Optek Technology
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
APA600-FG256M
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3C40U484C7N
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
5AGXBA1D4F27I5
Intel
EP3SL150F1152C4LN
Intel
XC7VX690T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
AGL250V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation