casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / XN09D5800L
codice articolo del costruttore | XN09D5800L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-XN09D5800L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XN09D5800L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP + Diode (Isolated) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 320mV @ 50mA, 2.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
Potenza - Max | 600mW |
Frequenza - Transizione | 180MHz |
temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | MINI6-G1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XN09D5800L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XN09D5800L-FT |
2SC4793,YHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4793,YHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4881(CANO,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4881,LS1SUMIF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4935-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4953
Panasonic Electronic Components
2SC5171(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5171(ONK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5171,MATUDQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5171,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4003E-4PQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP1S25F672C7N
Intel
10AX027H3F34I2LG
Intel
5SGXEA7H3F35C2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152C3N
Intel
XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation