casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / XN0553100L
codice articolo del costruttore | XN0553100L |
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Numero di parte futuro | FT-XN0553100L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XN0553100L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 20mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 5mA, 4V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 2.5GHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | MINI6-G1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XN0553100L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XN0553100L-FT |
TPC6901(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
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ON Semiconductor
HN4C06J-BL(TE85L,F
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FFB2907A
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BC847S
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XC3S700A-4FTG256I
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XCV200E-6FG456C
Xilinx Inc.
XC3S700A-5FGG484C
Xilinx Inc.
A40MX02-3PL68
Microsemi Corporation
EP3C10U256C7
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5SGXEA5K2F40I2L
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EP1M350F780C5
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5SGXEABN3F45C3N
Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C6N
Intel