casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / XN0111400L
codice articolo del costruttore | XN0111400L |
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Numero di parte futuro | FT-XN0111400L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XN0111400L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini5-G1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XN0111400L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XN0111400L-FT |
UP04111G0L
Panasonic Electronic Components
UP0411200L
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UP0411300L
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LFXP2-5E-5TN144I
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Lattice Semiconductor Corporation
APA150-BGG456
Microsemi Corporation
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC4020XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG144
Microsemi Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP1C4F400C8N
Intel
EP4CGX22CF19I7
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